شركتنا ليست مُصنِّعًا أو موزعًا معتمدًا أو ممثلًا معتمدًا لعلامة onsemi التجارية في المملكة العربية السعودية. العلامات التجارية الخاصة وأرقام المقالات المعروضة على هذا الموقع هي ملك لأصحابها المعنيين.
الشركة المصنعة
onsemi
بلد
USA
رقم القطعة
FDB86363-F085
الوصف
N-Kanal, 80 V, 110 A, 0,0038 Ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Typenbezeichnung: DB86363F085 Transistortyp: MOSFET Steuerkanaltyp: N-Kanal Maximale Verlustleistung (Pd): 300 W Maximale Drain-Spannung -Quelle |Vds| : 80 V Maximale Gate-Source-Spannung |Vgs|: 20 V Maximale Gate-Schwellenspannung |Vgs(th)|: 4 V Maximaler Drain-Strom |Id|: 110 A Maximale Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C Gate-Gesamtladung (Qg): 131 nC Anstiegszeit (tr): 129 ns Drain-Source-Kapazität (Cd): 1400 pF Maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds): 0,0024 Ohm
توافر المخزون:
تحت الطلب
السعر: تحت الطلب
تحت الطلب
هناك حاجة إلى عدة وظائف؟
أرسل طلبك عبر البريد الإلكتروني:
